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变温霍尔效应测试仪
阅读次数:2034 添加时间:2014-6-18

设备型号:HMS-5000

设备厂商:韩国 ECOPIA

设备简介:

    输入电流1nA–20mA;电阻率10-4-107(Ω.㎝);载流子浓度107–1021/cm3;迁移率 1-107 cm2/Volt.sec;磁场强度:0.55 Tesla;温度77K - 350K 准确度:+/-0.5℃;样品测量板:边长5-20mm,厚度小于2mm

测试范围:

    Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN, TCO(including ITO), AlZnO, FeCdTe, ZnO等所有半导体薄膜(P型和N型)体载流子浓度、表面载流子浓度; 迁移率、霍尔系数; 电阻率; 磁致电阻; 电阻的纵横比率。

联系人:杨学根    电话:0518-87027282


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