设备型号：Quanta 450 FEG

设备厂商：日本 FEI

设备简介：

    分辨率：

    高真空模式：1.0nm @ 30kV（SE）；2.5nm @ 30kV (BSE)；3.0nm @ 1kV(SE)；低真空模式：1.4nm @ 30kV (SE)；2.5nm @ 30kV (BSE)；3.0nm @ 3kV(SE)；环境真空 (ESEM)：1.4nm (SE) @ 30 kV下

    检测器:

    E-T二次电子探头;大视场低真空气体二次电子探头 (LFD);气体二次电子探头 (GSED);样品室红外CCD相机;高灵敏度、低电压固体背散射探头;气体背散射探头;四分固体背散射探头;闪烁体型背散射探头/CLD;vCD (低电压高衬度探头);电子束流检测器;分析型气体背散射探头 (GAD);Nav-Cam™ – 光学相机彩色成像，用于样品导航阴极荧光探测器能谱.

    电子光学系统:

    高性能电子光学镜筒，双阳极热发射电子枪,固定式物镜光阑，使用方便,45°锥度物镜极靴，及“穿过透镜”的压差真空系统,加速电压: 200 V - 30 kV,束流:最大2 μA并连续可调,放大倍数: 6 x – 1,000,000x

    样品室:

    • 左右内径284 mm

    • 10 mm分析工作距离

    • 8个探测器 / 附件接口

    • EDS采集角: 35°

    样品台:

    • X/Y = 100 mm

    • Z = 60 mm

    • 倾斜：- 5° - to + 70°

    • 连续旋转360°

    • 重复精度: 2 μm (X/Y方向)

    • 伪全对中样品台

测试范围：

    用于鉴定和分析材料表面结构组织、缺陷及晶体结构，以及分析集成电路芯片失效机理的研究，能谱仪可以用于材料微区的杂质分析。

联系人：杨学根    电话：0518-87027282